一、课题组简介

实验室简介：浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室专注于宽禁带半导体材料相关的基础研究，重点突破以碳化硅、氧化镓和金刚石为代表的宽禁带半导体的生长、加工、外延及成套装备，解决一系列宽禁带半导体领域的“卡脖子”技术难题，推动宽禁带半导体材料的快速发展，提高我国在宽禁带半导体领域的国际竞争力和影响力。研究室以中科院院士杨德仁教授、皮孝东教授为学术带头人，已有成员50多人。拥有中国科学院院士1人、浙江大学和浙江大学杭州科创中心特聘教授2人、科创百人6人、博士后和技术开发专家21人，工程师13人，博士占比54%。2021年研究室在Small、ACS Applied Materials and Interfaces、Journal of Materials Chemistry A、 Journal of Materials Chemistry C、Advanced Electronic Materials等国际期刊发表SCI论文30余篇，申请国家发明专利60余项，其中授权11项，申请实用新型专利30余项，其中授权14项。

主要负责人简介：黄渊超，求是科创学者（“科创百人计划”研究员），浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室。2014年毕业于中国石油大学（华东）机电工程学院并获得学士学位，2019年6月于中国科学技术大学获得材料科学与工程博士学位，2020年9月到2022年9月在浙江大学杭州国际科创中心从事博士后研究。主要研究方向为宽禁带半导体单晶生长与掺杂。现已发表论文20余篇，其中一作/通信论文10篇。

二、重点引进方向:
方向1：半导体材料单晶生长工艺开发

方向2：半导体材料单质生长设备设计与开发

方向3：半导体材料缺陷与杂质的第一性原理研究

方向4：半导体材料生长过程分子动力学或蒙特卡洛研究

三、申请条件:
1.具有相关学科背景，包括微集成电路、微电子、材料、物理、电子科学与技术等相关专业、从事过交叉学科研究者优先考虑；
2.近三年内获得博士学位，品学兼优，身心健康，年龄原则上不超过35周岁；
3.具有良好的团队合作意识和较强的独立工作能力；
4.具有良好的英语听说读写能力；

5.保证全职从事博士后研究工作。

四、待遇及保障条件:
1.根据科研工作能力提供具有竞争力的薪酬（含地方政府人才补助），具体面议（应届博士毕业生另可获得杭州市应届生生活补贴10万元）；

2.对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的，杭州市、萧山区分别给予相应配套资助；

3.提供一流的实验与科学研究条件；

4.协助申请杭州市、萧山区人才配套用房；

5.工作期间表现优秀、业绩突出者，如符合相应要求，可优先推荐申请科创中心“求是科创学者”岗位或技术开发岗位；

6.在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务；出站优秀者入职科创中心的可认定副研究员职称，并可获得地方政府80万人才补贴。

五、申请材料:
1.个人简历；

2.表明研究能力和学术水平的成果（如：获奖情况、鉴定、项目、学术论文等）及佐证材料；

3.博士学位论文。

申请人将以上材料电子版发送至科创中心人力资源部邮箱：huangyuanchao@zju.edu.cn【快捷投递：点击下方“立即投递/投递简历”，即刻进行职位报名】，附件和邮件主题均以“黄渊超课题组+博士后+姓名+高校人才网”标明。

六、联系方式:

联系人：徐老师

联系电话：0571-82491973

地址：

①水博园区地址：杭州市萧山区平澜路2118号。

②信息港园区地址：杭州市萧山区建设三路733号。